更新時(shí)間:2024-07-30
高精度鉑電阻溫度傳感器產(chǎn)品概述高精度鉑電阻溫度探頭采用行業(yè)的真空 PVD 沉積、 MEMS 精密加工等技術(shù),已經(jīng)完成 -70℃ ~ 1000℃寬溫區(qū)傳感器芯片國(guó)產(chǎn)化。主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到進(jìn)口產(chǎn)品水平,具備 MEMS 加工先進(jìn)技術(shù)裝備和工藝, 可以為客戶(hù)提供 MEMS 工藝代加工和傳感器芯片開(kāi)發(fā)合作業(yè)務(wù)??捎糜诟黝?lèi)儀器儀表制造業(yè)和制造各種溫 度傳感器,更適合對(duì)溫度測(cè)量精度
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高精度鉑電阻溫度傳感器
產(chǎn)品概述
高精度鉑電阻溫度探頭采用行業(yè)的真空 PVD 沉積、 MEMS 精密加工等技術(shù),已經(jīng)完成 -70℃ ~ 1000℃寬溫區(qū)傳感器芯片國(guó)產(chǎn)化。主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到進(jìn)口產(chǎn)品水平,具備 MEMS 加工先進(jìn)技術(shù)裝備和工藝, 可以為客戶(hù)提供 MEMS 工藝代加工和傳感器芯片開(kāi)發(fā)合作業(yè)務(wù)??捎糜诟黝?lèi)儀器儀表制造業(yè)和制造各種溫 度傳感器,更適合對(duì)溫度測(cè)量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域;鉑電阻芯片可提供 100Ω、200Ω、 1000Ω 等阻值的元件。在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,有良好的絕緣性,鉑電阻溫度范圍 -70° C ~ 1000° C。
高精度鉑電阻溫度傳感器產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 可用于各類(lèi)儀器儀表制造業(yè)和制造各種溫度傳感器,更適合對(duì)溫度測(cè)量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域;
2. 鉑電阻芯片可提供100Ω、200Ω、1000Ω等阻值的元件;
3. 在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,有良好的絕緣性,鉑電阻溫度范圍是-70℃~1000℃;
4. 高性能和長(zhǎng)壽命特性;
5. 引腳材料為鉑銥絲;
6.1000℃50小時(shí)R(℃)的阻值漂移≤0.1%;
7.10至1000Hz的頻率加速度≥40g。
高精度鉑電阻溫度傳感器產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品尺寸 | 長(zhǎng)4±0.2mm×寬2±0.2mm×厚1±0.2mm(可定制),引線長(zhǎng)度5mm,直徑:Φ0.25mm |
推薦工作電流 | 0.3~1mA(需考慮自熱) |
響應(yīng)時(shí)間 | 空氣中≤0.5s |
引線材質(zhì) | 鉑銥絲 |
絕緣電阻 | 100℃時(shí)大于 20MΩ |
引線拉拔強(qiáng)度 | ≥12N |
溫度范圍 | -70℃ ~ 1000℃。 |
高精度鉑電阻溫度傳感器性能指標(biāo)
標(biāo)稱(chēng)阻值(0℃) | 型號(hào) | 工作溫度 | 溫度系數(shù) |
100Ω | PT100 | -70℃ ~ 1000℃ | 3850ppm/℃ |
200Ω | PT200 | -70℃ ~ 1000℃ | 3770ppm/℃ |
1000Ω | PT1000 | -70℃ ~ 1000℃ | 3850ppm/℃ |
性能偏差
等級(jí) | 溫度偏差 | 阻值偏差 | 溫度系數(shù)偏差 |
1/10 B | ±0.03% | ±0.01% | ±1ppm/℃ |
1/3 B | ±0.10% | ±0.04% | ±4ppm/℃ |
A | ±0.15% | ±0.06% | ±6ppm/℃ |
B | ±0.30% | ±0.12% | ±12ppm/℃ |
2B | ±0.60% | ±0.24% | ±24ppm/℃ |
性能測(cè)試
產(chǎn)品經(jīng)過(guò) 1000℃連續(xù) 50 小時(shí)加熱后,測(cè)試 0℃阻值的結(jié)果見(jiàn)圖1
公司產(chǎn)品與進(jìn)口產(chǎn)品在相同測(cè)試條件下測(cè)得的溫度數(shù)據(jù)見(jiàn)圖2
1000℃/50小時(shí)老化試驗(yàn)Aging Test at 1000℃ for 50 Hours
燒結(jié)前Before heating 燒結(jié)后After heating
圖1老化試驗(yàn)阻值變化
溫度特性對(duì)比
公司產(chǎn)品 進(jìn)口產(chǎn)品
圖 2 產(chǎn)品性能對(duì)比試驗(yàn)